场发射硅锥阵列的干法制备与研究

来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jianming_zhang

【摘要】

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阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲

【作者】

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王芸徐东吴茂松王莉钱开友叶枝灿蔡炳初

【机构】

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上海交通大学

【出处】

：

微细加工技术

【发表日期】

：

2006年1期

【关键词】

：

硅锥干法刻蚀 RIE 场发射 Si tip array dry etching RIE field emission

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阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm～35 nm且具有良好一致性的尖锥.当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定.

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