【摘 要】
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采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.通过提高H2稀释度,使得SiC薄膜的质量得到了改善.选取高H2稀释度,利用原子氢在成膜过程中的刻蚀作用稳定结晶相,可在较低的衬底温度下,沿Si(102)择优取向异质生长出晶态SiC薄膜.
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