Si（111）表面亚稳态重构的STM研究

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【摘要】

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利用扫描隧道显微镜(STM),研究了Si(111)表面的2×2、c2×4、9×9和11×11等各种亚稳态结构.与已经发表的研究结果相比:2×2和c2×4重构区域规则且

【作者】

：

侯士敏陶成钢申自勇郭等柱赵兴钰刘惟敏薛增泉

【机构】

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北京大学电子学系

【出处】

：

真空科学与技术

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

Si(111)表面亚稳态重构扫描隧道显微镜畴界硅(111)表面半导体材料 Scanning tunneling microscopy Surface

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利用扫描隧道显微镜(STM),研究了Si(111)表面的2×2、c2×4、9×9和11×11等各种亚稳态结构.与已经发表的研究结果相比:2×2和c2×4重构区域规则且面积更大,原子分辨的图像清晰稳定;在不同亚稳态之间的畴界处,发现存在2种不同的环形结构.从原子密度和能量两方面,对各种亚稳态重构的形成机制进行了讨论.

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