火力发电厂滑压优化技术研究

来源 :发电设备 | 被引量 : 0次 | 上传用户:luiyun
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
针对某电厂由于机组负荷长期偏离设计工况导致汽轮机存在低负荷能耗偏高的问题,对现有滑压运行方式进行优化试验.通过联合使用负荷与阀位为基准的测试方法,确定了机组最经济的滑压运行方式.同时,考虑到热力参数与热力系统变化等对机组滑压运行曲线的影响,采用基于调节级压力的最优滑压运行方式以保证机组始终运行于最优的经济状态下.结果 表明:新的滑压运行优化技术有效地降低了机组能耗水平,实现了机组在变工况下的安全、经济运行.
其他文献
现有的CPU验证平台大多基于指令码匹配技术搭建,这种方式开发周期长、调试难度高.在CPU芯片的设计中,高效和完备的功能验证已成为CPU可靠性的重要依据.针对某32位CPU芯片的验证需求,提出了一种高效率可重构的CPU验证平台,并完成了该验证平台的设计与实现.该验证平台充分利用SystemVerilog的字符串匹配技术,集成了验证用例生成组件、参考模型组件、监控组件和结果比较组件,使用脚本语言自动化完成批量验证.相比现有的CPU验证平台,该平台开发及调试周期短,模块化的结构易于重复使用和移植.目前该平台已完
针对目前IC测试系统中对外设部件互连标准(Peripheral Component Interconnect,PCI)及其拓展(PCI-X)接口外设的动态可扩展应用需求,提出一种基于桥芯片PCI6540的PCI/PCI-X交换电路系统方案,并根据PCI总线规范设计通用扩展平台板卡.详细介绍系统中各个模块的设计及工作原理,通过搭建测试平台对系统板卡进行测试验证.实验证明该系统板卡功能完备且逐渐增加ping包的量级(最高115200),稳定运行至少30min后传输时间小于15ms,平均丢包数小于20,验证了设
研究了不同厚度GaAs的通孔工艺,在以GaAs为衬底的加工工艺中,通孔工艺是GaAs的重要工艺,直接影响着器件的性能.阐述了目前GaAs厚度为100 μm的工艺情况,分析了GaAs厚度为150 μm时的深孔刻蚀.通过对刻蚀工艺中不同压强和不同偏置功率的研究,掌握GaAs深度为200μm的深孔刻蚀工艺.根据研究200μm深孔刻蚀工艺的经验,开发深度为250μm的深孔刻蚀工艺.
随着5G通信信号频率的不断提高,作为各类集成电路的基板,覆铜板(Copper Clad Laminate,CCL)在高频通信条件下对传输信号损失的影响比低频通信条件下大幅提高,5G高频高速通信对信号质量的要求也更加严格.研究在高频下CCL导致的各种信号损失成因及其控制措施具有较大的应用价值.分析了高频高速CCL导致信号损失的主要途径,概括了近年来高频CCL信号损失控制技术领域的研究进展,重点从导体损耗、介质损耗、辐射损耗等方面入手,分析了影响损耗的主要参数,给出了降低信号损失的可行方案.
运用工作在亚阈值区的MOS管产生了一个温度系数良好的基准电压,同时在输出支路使用共源共栅结构,使该基准电压源的电源抑制比得到有效提高.基于0.18 μmCMOS工艺,使用Cadence中Spectre环境进行仿真,在标准TT工艺下,该基准电压源在-40~125℃的温度范围内,基准电压的变化仅为1.627 mV,温度系数为9.56×104/℃,电源抑制比为-72.11 dB,使用5 V电源电压供电时,此基准电压源整体只消耗了164.8nA的电流,功耗仅为0.824μW.该基准电路不仅结构简单,还具有低功耗、
传统绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块内部集成有PIN结构的Si基二极管作为续流二极管,该二极管开关损耗大,并且在关断时存在电流、电压过冲现象,使得IGBT模块整体功耗增大,可靠性降低.通过SiC结势垒控制肖特基二极管(Junction Barrier Control Schottky Diode,JBS)代替模块内原有的PIN结构Si基二极管,研制了3300 V/1500 A等级的Si IGBT/SiC JBS混合模块.介绍了混合模块的设
尺寸缩小效应会导致金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的性能变化,引发质量与可靠性等问题,进而制约微电子器件性能和使用寿命.对插入厚度为5 nm的Al2O3帽层结构的nMOSFET器件进行电学性能和低频噪声性能测试,并提取了阈值电压、栅极关态电流、亚阈摆幅、载流子迁移率及迁移率衰减系数等参数.通过分析栅极电压噪声功率谱密度和栅极缺陷密度,建立了MOSFET器件电学表征方法和低频噪声表征方法的互补表
本文简要阐述了智能变电站概念、二次系统的作用以及二次设备的特点,提出了二次设备的有效检修策略,并针对智能终端保护装置故障、单套保护装置故障、合并单元故障、软压板故障、线路停电故障、交换机故障,提出了具体的故障隔离措施,以期提升智能变电站二次设备运行稳定性,确保电力输送的可靠性.
SOI(Silicon-On-Insulator)高压LDMOS(Lateral Double Diffusion Metal Oxide Semicon-ductor)作为高压集成电路的核心器件,广泛应用于模拟开关、栅驱动及电源管理电路中.通过TCAD仿真软件,开展SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点及器件烧毁机理研究.器件在重离子的影响下产生大量的离化电荷,并在电场作用下发生漂移运动,从而诱发寄生三极管开启,导致器件发生单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)效应而失效.采取脉
针对有传感器无刷直流电机(Brushless DC Motor,BLDCM)成本高且运行可靠性易受环境影响等缺点,结合实际工程项目需求,对BLDCM工作原理进行分析,提出一种基于STM32F031芯片的无位置传感器BLDCM控制系统设计方案.该方案通过旋转电压脉冲注入检测电机转子初始位置,避免电机静止启动出现倒转现象,并在电机运行过程中采用反电动势过零点预估电机换相点.实验结果表明该系统运行稳定可靠,启动平稳,且换相位置准确性高,具有较高的应用价值.