【摘 要】
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运用工作在亚阈值区的MOS管产生了一个温度系数良好的基准电压,同时在输出支路使用共源共栅结构,使该基准电压源的电源抑制比得到有效提高.基于0.18 μmCMOS工艺,使用Cadence中Spectre环境进行仿真,在标准TT工艺下,该基准电压源在-40～125℃的温度范围内,基准电压的变化仅为1.627 mV,温度系数为9.56×104/℃,电源抑制比为-72.11 dB,使用5 V电源电压供电时,此基准电压源整体只消耗了164.8nA的电流,功耗仅为0.824μW.该基准电路不仅结构简单,还具有低功耗、
【机 构】
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苏州大学电子信息学院,江苏苏州 215000
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运用工作在亚阈值区的MOS管产生了一个温度系数良好的基准电压,同时在输出支路使用共源共栅结构,使该基准电压源的电源抑制比得到有效提高.基于0.18 μmCMOS工艺,使用Cadence中Spectre环境进行仿真,在标准TT工艺下,该基准电压源在-40～125℃的温度范围内,基准电压的变化仅为1.627 mV,温度系数为9.56×104/℃,电源抑制比为-72.11 dB,使用5 V电源电压供电时,此基准电压源整体只消耗了164.8nA的电流,功耗仅为0.824μW.该基准电路不仅结构简单,还具有低功耗、高电源抑制比、无运放结构的优点.
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