研究了不同厚度GaAs的通孔工艺,在以GaAs为衬底的加工工艺中,通孔工艺是GaAs的重要工艺,直接影响着器件的性能.阐述了目前GaAs厚度......

本文介绍了测量不同偏置功率下响应波长在16.5微米甚长波大面积(2.0×2.0mm)HgCdTe光导探测器光谱响应截止波长,并利用HgCdTe晶体......

为了提高8mm微波小功率敏感器的校准准确度,利用原有的SYSTEMⅡ微波小功率标准系统,通过研制偏置功率匹配器,在8mm频段构建了新型......

在干法刻蚀GaN时使用SiO2作为掩蔽物，为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN／SiO2刻蚀选择比，使用电感耦合等离子刻蚀机（ICP），运用Cl2......

在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层，为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN／AZ-4620刻蚀选择比，使用电感耦合等离子刻蚀机（ICP），运......