随着集成电路测试成本越来越高,成本管控能力成为封装测试厂的核心竞争力。本文针对NAND FLASH存储器测试,提供了具有实际意义的良率提升和测试时间优化的方案。在良率提升方面,首先在KGD测试前引入了一步新的工艺步骤物理分片,目的是避免晶圆之间的性能差异造成的良率损失。该步骤对来料的圆片按照产品的需求进行挑选分类,分到不同组别的圆片会采用不同的测试程序进行测试,进而应用到不同的产品中。实际数据结果证明该分片方法可以避免高达21%的良率损失。其次针对KGD失效项BIN45:All block erase进行测试参数改善来提升产品良率,失效分析和测试调试数据证明BIN45属于软失效中的临界失效,可以通过改善测试参数来挽回近2%的良率损失。在测试时间优化方面,首先提出了一种新的随机编程方法来降低测试编程时间,常用的方法在upper page编程时,每次编写用的随机程式都需要机器生成,耗时850us;而新方法则采用从种子块中直接调取随机程式的方法,耗时只需要50us,缩短了整个编程测试时间近200秒。其次优化和精简测试项,文中通过对一项All FF读取测试进行优化,由之前读取确认每个块中每一页的数据,更改为只读取确认每个块中前两页的数据,这样可以节约大概38秒。另外移除了一项所有块的擦除测试,可以节约大概15.5秒。在产品进入量产阶段后,制程稳定的情况下,这两种优化后的测试方法可以保证产品的测试覆盖率。本文研究的这些方法已经应用于实际的生产测试中,提出的新的工艺流程和测试方法,可以为后续的良率提升和测试时间优化工作提供借鉴。