综合利用现代电子显微学方法，对两个体系(Ag-Si-O体系和ZnO体系)的低维纳米金属/半导体/氧化物的生长机理进行了系统的研究。这两个体系分别属于面心立方晶系和六方晶系。 在不同条件下通过热蒸发SiO或者Ag2O/SiO混合物获得了丰富的微纳米结构形态，包括Ag/Si/SiOx金属-半导体-金属的一维纳米胶囊结构，并提出这种结构的生长机制为自组装模板机制； 热应力驱动球面上自组装三角对称图案。通过蒸发Ag2O和SiO，首次在直径为微米量级的球面上获得了三角晶格排布的纳米内核/壳层结构花样，观察到了受球面几何条件限制(欧拉定律)而形成的内秉缺陷。提出了在热应力通过表面曲折(Buckling)或断裂而形成规则图案和诱导一维生长的机制，该结果的获得为应用应力工程改变或设计材料的结构和性能的观点提供了有力的支持。 分别应用计算和实验的方法，研究了ZnO纳米结构的生长形态与晶体结构和生长条件的关系。利用第一性原理方法，计算了在ZnO晶体三个重要表面(001)，(100)和(110)上添加原子时总能量的变化，结果显示沿[001]方向生长能量最低。这和大多数纳米线沿[001]方向生长相符合。在不同氧含量条件下通过热蒸发Zn粉获得了不同生长方向的ZnO一维纳米结构。统计多个纳米结构的测试结果，在欠氧下，ZnO一维纳米结构沿[100]生长；提高氧含量后，则主要沿[001]方向生长。 用会聚束方法确定出在氧过量条件下，一维ZnO纳米结构生长方向的极性为[001]的正方向。用第一性原理方法分别计算了氧充足条件下沿[001]正方向和负方向添加原子的总能量，发现沿[001]正方向的能量更低，计算结果很好的吻合于实验结果。