基于MEDICI模拟软件，研究不同栅氧化层厚度和有效沟道长度对深亚微米NMOS器件的热载流子效应的影响。结果表明了，器件的热载流子......

该论文的主要内容是研制一种新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管(VDCFET)及其片上系统(SOC),报道了器件的设计思想和特性.该论文......

随着微电子技术的迅速发展,集成电路的研究与应用已经进入了片上系统(SOC)时代.单芯片的集成度和操作频率越来越高,集成度已经达到......

研制了一种新模式的半导体场效应晶体管——垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET) ,这种结构可以避免现有光刻技术的制约 ,使用常规......

研制了一种新模式的半导体场效应晶体第－－垂直沟道的偶载场效应晶体管（VDCFET），这种结构可以避免现有光刻技术的制约，使用常规的半导体双......

CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯......

本文分析了用直流测量法提取ＭＯＳ晶体管的有效沟长、有效沟宽的基本原理与方法，制作一组Ｗ相同，Ｌ不同；Ｌ相同，Ｗ不同的ＭＯＳ晶体管，进行△Ｌ、△Ｗ的提取，误差......