【摘 要】
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该文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,在单晶Si.衬底上分别制备出非晶SiC薄膜以及不同晶粒尺寸的纳米立方相SiC(β-SiC)薄膜.并通过控制参数,在较低的衬底温度下
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该文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,在单晶Si.衬底上分别制备出非晶SiC薄膜以及不同晶粒尺寸的纳米立方相SiC(β-SiC)薄膜.并通过控制参数,在较低的衬底温度下成功获得不同尺寸的纳米β-SiC薄膜.在该工作中,着重研究了主要工艺参数对纳米β-SiC薄膜生长特性的影响.测试了不同结构薄膜的电导率及场发射性能.实验表明纳米β-SiC薄膜比非晶SiC薄膜的电导率有明显提高,薄膜的场发射性能也有显著提高.同时得到,小尺寸β-SiC薄膜由于尺寸效应的影响及较高的表面粗糙度,比晶粒尺寸相对较大的β-SiC薄膜表现出更佳的场发射性能.
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