【摘 要】
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该论文的工作就是在评述SiC晶体结构性质、SiC材料的发展及研究进展、SiC器件的发展及研究进展的基础之上,阐述了制备SiC外延材料的方法,特别是用LPCVD法沉积SiC外延材料,都
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该论文的工作就是在评述SiC晶体结构性质、SiC材料的发展及研究进展、SiC器件的发展及研究进展的基础之上,阐述了制备SiC外延材料的方法,特别是用LPCVD法沉积SiC外延材料,都采用了碳化和生长两步的生长方法.主要研究工作如下:利用射频溅射法制备SiC薄膜材料,在Si衬底上制备了Al/SiC/SBD;利用CVD法制备SiC外延材料,在6H-SiC衬底上制备Ni/6H-SiC/SBD.测试结果表明,两者都有较好的电学和整流特性.利用LPCVD法在Si(100)衬底上获得3C-SiC外延膜,研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC/p-Si异质结的I-V、C-V特性及温度依赖关系,比较了In电极的3C-SiC/p-Si异质结二极管和以SiGe作为缓冲层的3C-SiC/SiGe/Si异质结构的I-V特性,实验发现SiGe缓冲层引入后,二极管的反向击穿电压得到很大的提高.采用原位硼烷(B<,2>H<,6>)掺杂技术在蓝宝石衬底上用LPCVD法生长p-3C-SiC外延膜,研究了在p-3C-SiC外延膜上分别用Al和AuGeNi合金形成欧姆接触的结构和电学特性.
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