碳纳米管模板法制备SiC纳米线的研究

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【摘要】

：

一维纳米材料的制备及性能研究是当今凝聚态物理、材料科学等领域研究的热点,也是最前沿的领域之一。SiC纳米线作为一种一维纳米材料,有着十分优异的场致电子发射性能,可作为新型电子光源,这将使它在图像显示技术等领域发挥巨大的作用并有着广阔的应用前景。目前SiC纳米线的研究刚刚起步,仍然处在基础研究阶段,如基本无法实现SiC纳米线的可控制备,因此急需发展新的制备技术和工艺。本论文研究了以碳纳米管为模板制备

【作者】

：

李昌龄

【机构】

：

天津理工大学

【发表日期】

：

2006年01期

【关键词】

：

碳纳米管 SiC纳米线磁控溅射 PECVD 场致电子发射

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