高温热管晶体生长炉的温度控制

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本文针对所研制的高温热管碲镉汞(MCT)晶体材料生长炉,结合改进的Bridgman晶体材料生长法(坩锅旋转法),介绍了一种温度控制系统,使该晶体生长炉的温度控制精度达到±0.4℃/500小时,相应升、降温速度为0.5~4℃/分钟可调,并且自动控制水平达到了Bridgman法生长MCT晶体材料的技术要求,生长出了合格的样品。
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