热屏对Ф200mmCZSi热系统的温场的影响

来源 :第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:waterlee1999
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
温场对晶体生长十分重要。本文测量了采用不同热屏热场的熔硅纵向温度梯度,发现加强复合式热屏使熔体纵向温度梯度增加,能有效的提高单晶的生长速率和晶体内在质量。
其他文献
本文综述了国内外关于脉冲电镀应用于单金属、合金以及氧化膜电镀等三个方面的研究现状。展望了今后脉冲电镀的发展趋势。
文章综述了工艺条件对纳米复合电镀的影响、纳米颗粒与金属共沉积的机理和模型,以及纳米复合电镀层的应用。
本文从技术、经济和环保意识的角度谈论了有关氰化物电镀的取代问题,并介绍了几个在生产中应用的无氰电镀技术。希望有助于无氰电镀技术的推广。
本文介绍了我国第一条太阳电池用240KG 多晶硅锭、硅片生产线的建成投产与发展概况。介绍了生产线的主要设备及特点,多晶硅锭、硅片的质量参数以及生产工艺技术的改进和未来发展趋势。
本文报道了晶体硅太阳电池专用免清洗助焊剂的研究过程、性能及应用情况,并比较了不同种类的助焊剂对晶体硅太阳电池组件性能可靠性的影响,给出了晶体硅太阳电池组件对助焊剂的要求。
在单晶硅太阳能电池的制备过程中,通常利用碱溶液对晶体硅不同晶向和的各向异性腐蚀特性,在硅片表面形成类似于“倒金字塔”的绒面,通过增加照射光在硅片表面的反射次数,提高光吸收效率,从而提高单晶硅太阳能电池的转换效率。本文研究了硅酸钠在单晶硅表面腐蚀中的作用,实验结果表明:单独使用硅酸钠溶液腐蚀单晶硅片可以得到较好的表面反射率;在传统的氢氧化钠和异丙醇体系中加入少量的硅酸钠会促进腐蚀反应的进行。
利用室外光源采用旋转抛物面聚光器,实验研究了不同光强下常规多晶硅太阳电池的伏安特性。实验结果表明,在电池工作温度不高于30℃时,常规多晶硅太阳电池在2.8kw/m2 光强下工作是可行的。温度对多晶硅太阳电池的性能影响较大,入射光强3.2kw/m2 连续照射时,由于温度的影响开路电压下降了48%,峰值功率下降了53﹪。
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列不同沉积条件的微晶硅薄膜。X-Ray衍射测试结果表明材料的择优取向随着功率的增大发生了规律性的变化,体现出了(220)方向择优,而且X-Ray 衍射测试模式不同所揭示材料的结构信息也不一样。对比Raman 测试所得到的晶化率和XRD 测试得到材料的I220/I111 比值随沉积参数的规律性变化,可得出如下结论:I220/I1
在太阳电池的生产中,由于硅材料与各种电极浆料热胀系数不匹配问题所引起的次品率一直占了很大比例(3﹪~5﹪),严重影响到产品质量和成本。本文从一个全新的角度出发,简要介绍了由于多晶硅与铝浆电极热胀系数不匹配引起的形变情况;通过实验与力学分析结合的方法计算出形变的程度,与实际对照分析,并提出了解决方案。
本文对甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)的弱硼掺杂补偿特性进行了研究。实验发现:随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si:H 薄膜的沉积速率先缓慢减小,然后再缓慢增加,变化范围为0.7nm/s~0.8nm/s;μc-Si:H 薄膜的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸随着弱硼补偿剂量的增大,呈现出先增后减的变化,而且变化的幅度较大,当剂量大于25ppm