【摘 要】
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采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度，以及不同SiC衬底厚度与外延片弯曲度之间的关系。外延引入的弯曲度随着外延层厚度的增大而增大：外延引入的弯曲度随着衬底厚度的减小而增大。研究了衬底弯曲度的方向对外延片弯曲度的
【机 构】
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中国科学院半导体所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Laboratory of Ma
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度，以及不同SiC衬底厚度与外延片弯曲度之间的关系。外延引入的弯曲度随着外延层厚度的增大而增大：外延引入的弯曲度随着衬底厚度的减小而增大。研究了衬底弯曲度的方向对外延片弯曲度的影响，当衬底弯曲度为负时，更有利于获得较小弯曲度的外延材料。
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