碳化硅衬底相关论文
碳化硅单晶衬底作为宽禁带半导体材料处于半导体产业链的前端,是制造器件的核心关键材料,在光电器件、功率器件和射频器件等领域具......
报道了6H-SiC衬底外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体,环形腔结构的全正色散被动锁模掺镱光纤激光器。在注入抽运功率为250mW时,得......
以国际金融公司(IFC)为首的投资机构日前在北京和晶能光电(晶能光电(江西)有限公司)进行增资的签约仪式,增资总额为5550万美元.......
用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时......
美高森美公司（Microsemi Corporation）推出用于大功率航空交通管制、二次监视无线电应用的射频（RF）晶体管系列中的产品1011GN-700ELM。......
碳化硅不但是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一，同时也特别适合用于制备低能耗、大功率白光器件。在未来的路灯和室外......
自2000年以来,以氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为主的Ⅲ族氮化物半导体异质结构及相关电子器件得到了快速发展。这些Ⅲ族......
学位
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
作为国家确定的低碳城市试点的五省八市之一,南昌近几年在低碳建设方面取得了较大的发展,"生态立市,绿色崛起"的低碳城市形象已为......
以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长。利用反射式高能电子衍射（RHEED）、扫描电子显微镜（SEM）、拉曼（Raman）等测......
利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬......
本文研究了基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工方法。为了实现对碳化硅衬底的高效低损伤研磨加工，对碳化硅衬底的行星机构双面......
作为可以在室温下稳定独立存在的平面材料,石墨烯是碳原子以sp2杂化形成的六角蜂窝状晶格结构的二维材料,也是构成石墨、碳纳米管......
