【摘 要】
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利用水平热壁CVD方法,在SiH4-C3H8-H2系统中通过降低反应压强在n型4H-SiC偏4°衬底上同质外延生长了高质量的外延层.利用红外傅里叶变换光谱(FTIR)、Nomarski光学显微镜和高分辨X射线衍射(HRXRD)摇摆曲线等测试方法,对外延层的厚度、表面形貌及结晶质量进行了分析测试表征.结果表明,在生长温度为1580℃,硅烷流量为42sccm(C/Si=1),生长压强为40mbar 的
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,陕西 西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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利用水平热壁CVD方法,在SiH4-C3H8-H2系统中通过降低反应压强在n型4H-SiC偏4°衬底上同质外延生长了高质量的外延层.利用红外傅里叶变换光谱(FTIR)、Nomarski光学显微镜和高分辨X射线衍射(HRXRD)摇摆曲线等测试方法,对外延层的厚度、表面形貌及结晶质量进行了分析测试表征.结果表明,在生长温度为1580℃,硅烷流量为42sccm(C/Si=1),生长压强为40mbar 的条件下,外延层生长速率约为10μm/h.厚度为20μm的外延样品表面光滑,在表面没有发现Si滴,只有少量胡萝卜型缺陷和三角形缺陷,外延层HRXRD摇摆曲线半高宽(FWHM)为58.42arcsec.研究表明降低生长压强有利于抑制外延层表面Si滴的形成,改善外延层的表面形貌,提高外延层的结晶质量.
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