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单晶金刚石是具有代表性的第三代宽禁带半导体材料之一，具有大的禁带宽度(5.5eV)，最高的热导率及极高的载流子迁移率.但是目前HPHT单晶金刚石尺寸小(5～8mm)，无法和GaN和SiC等半导体的尺寸相比(～50mm)，限制单晶金刚石在半导体器件领域的应用.
Mosaic拼接衬底同质外延生长大尺寸单晶金刚石工艺及性能表征
【摘 要】
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单晶金刚石是具有代表性的第三代宽禁带半导体材料之一，具有大的禁带宽度(5.5eV)，最高的热导率及极高的载流子迁移率.但是目前HPHT单晶金刚石尺寸小(5～8mm)，无法和GaN和SiC等
【机 构】
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哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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