SiC MOS器件由于受SiO2／SiC界面处高浓度的界面陷进的影响使得反型层的电子迁移率很低，最终导致器件的跨导较低，4H-SiC材料更为明显。为了提高场效应晶体管特性，本文介绍了一种新型结构的器件，简称4H-SiC埋沟MOSFET，就是在SiO2／SiC界面注入一层N型埋沟层。论文给出了4H-SiC BC-MOSFET的基本结构及模型，并分析了其电流输运机制。根据偏置条件不同，埋沟MOSFET大概有四种工作模式为：积累模式、耗尽模式、夹断模式、反型模式。一般情况下器件只用耗尽模式和夹断模式。通过二维模拟软件MEDICI模拟了4H-SiC BC-MOSFET的基本伏安特性，分析了栅极材料、掺杂浓度、栅氧化层厚度、沟道深度、温度等其它因素对4H-SiCBC-MOSFET伏安特性的影响。对4H-SiC埋沟MOSFET器件进行了研制，离子注入得到的沟道深度为0． 2μm。从转移特性提取的峰值场效应迁移率为18． 1cm2／(Vs)。造成场效应迁移率低的主要因素可能是低的离子注入激活率和粗糙的器件表面，3μm器件的饱和跨导约为102μS。本文对4H-SiC BC-MOSFET的器件特性、模型和模拟等开拓性工作为这种新结构器件的研究发展奠定了基础。