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在ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了Si、SiO<,2>陡直刻蚀技术的研究,利用双层掩膜技术解决了"微掩膜现象"问题,刻蚀获得了Si和SiO<,2>陡直图形,并将这一刻蚀技术用于AWG的制作.
Si、SiO陡直刻蚀技术研究
【摘 要】
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在ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了Si、SiO陡直刻蚀技术的研究,利用双层掩膜技术解决了"微掩膜现象"问题,刻蚀获得了Si和SiO陡直图形,并将这一刻蚀技术用于AWG的制作.
【机 构】
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中科院微电子中心(北京市)
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
【发表日期】
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2003年2期
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