【摘 要】
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在对发光材料的研究中,ZnO以其独特的性质,逐渐成为新世纪材料研究的热点.ZnO是新型Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有与GaN相近的性质.如:拥有较宽的直接带隙宽度(E=3.3eV,与GaN的E=3.5eV相近),较大的激子束缚能(E=60meV,而GaN的E=25meV)和较强的近紫外光发射.ZnO的熔点高达2248K,且Zn-O键的结合力大于Ga-N的结合力.这些优异的物理性质,使得ZnO在光学材料(
【机 构】
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北京大学物理学院技术物理系 南昌大学材料科学研究所
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
论文部分内容阅读
在对发光材料的研究中,ZnO以其独特的性质,逐渐成为新世纪材料研究的热点.ZnO是新型Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有与GaN相近的性质<[1]>.如:拥有较宽的直接带隙宽度(E<,g>=3.3eV,与GaN的E<,g>=3.5eV相近),较大的激子束缚能(E<,b>=60meV,而GaN的E<,b>=25meV<[2]>)和较强的近紫外光发射.ZnO的熔点高达2248K,且Zn-O键的结合力大于Ga-N的结合力<[3]>.这些优异的物理性质,使得ZnO在光学材料(如发光二极管),半导体器件等方面有着广泛应用前景,它是继GaN之后的又一新型光电材料.
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