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在用氧化物半导体材料（ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ〈，２〉）制备的透明导电膜中主要缺陷是晶粒的间界和晶粒内的电离杂质和缺陷，在高质量的透明导电膜中，由于大的晶粒尺寸和高的载流子密度，电荷载流子的散射在低温下以电离杂质和缺陷的散射为主。但高温下，晶格散射变成主要的。
高质量氧化物透明导电膜的电导机制
【摘 要】
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在用氧化物半导体材料（ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ〈，２〉）制备的透明导电膜中主要缺陷是晶粒的间界和晶粒内的电离杂质和缺陷，在高质量的透明导电膜中，由于大的晶粒尺寸和高的载流子密度，电荷载流子的散射
【机 构】
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大学物理系(济南)
【出 处】
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第五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1996年期
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