1、产品及其简介rn公司立足自主创新,攻克了12英寸硅单晶生长的热场设计和安全、杂质和缺陷的控制、硅片几何参数的精密控制、表面......

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立方氮化硼（cubic boron nitride, cBN）晶体，是一种人工合成的III-V族半导体材料，目前，人们还没有发现天然存在的cBN晶体。研究表明，cBN......

对多批不同束源的LEC SI-GaAs进行了15K及变温、变激发光强的光致发光PL测量,并对不同PL峰值能量下PL强度随样品位置的变化进行了......

摘要阐述了铸造多晶硅中几类重要杂质及铸造多晶硅晶粒组织中的缺陷．杂质和缺陷的存在，不同程度的降低了多晶硅电池的光电转化效率。......