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刻蚀是微器件制作中的关键技术之一,刻蚀结果会直接影响器件的性能.ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀技术具有刻速快、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好等优点,已经成为了干法刻蚀中的主流技术.本文主要研究了利用国产ICP刻蚀设备,在同步刻蚀技术下进行硅浅刻蚀时,掩膜对刻蚀特性的影响,优化了不同掩膜下的工艺刻蚀参数,并对其结果进行了分析.