4H-SiC高压肖特基二极管研制

来源 :第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yht52119

【摘要】

：

本文采用多重场限环终端实现了一种高压4H-SiC肖特基二极管.基于Medici仿真计算结果、利用两环简化模型结构,给出了耐压6000V终端结构各个场限环之间的优化间距.终端整体仿真结果表明该优化结构通过将耗尽区边界扩展,很好的抑制了结边缘部分的电场集中效应,击穿时所有场限环的峰值电场基本相同,达到了优化设计的目的.通过流片验证,采用该终端结构设计的4H-SiC肖特基势垒二极管击穿电压大于5500V

【作者】

：

王勇王永维张志国李佳崔占东吴洪江

【机构】

：

中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051

【出处】

：

第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

【发表日期】

：

2014年9期

【关键词】

：

肖特基势垒二极管碳化硅结构设计多重场限环击穿电压

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