二氧化锡薄膜相关论文
文中设计制造了基于二悬梁微加热器平台的微纳融合气体传感器.通过结构优化和工艺参数控制实现了一种低功耗和高机械强度的二悬梁......
我们采用超声雾化CVD工艺来制作二氧化锡薄膜,研究了各种工艺参数对SnO薄膜的性质的影响,摸索了最佳的工艺条件,研究了掺杂对膜的......
本文报道了一种利用生物蛋膜为模板,通过溶胶凝胶法结合灼烧热处理过程制备新型生物形态SnO2气敏材料的工艺方法.整个过程中发生复......
本文研究了一种采用SnO2敏感薄膜的声表面波(SAW) H2S气体传感器.目前常用的基于电阻效应的传统半导体(如SnO2)传感器,工作温度较......
利用溶胶-凝胶法首先在玻璃基片上制备了氧化锡晶种膜,之后采用溶剂热法在其上生长了致密的氧化锡薄膜。利用扫描电子显微镜和X射......
针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法——等离子增强化学气相沉积(PECVD)及溅射/蒸发生长的不同特点,分别采用了两种不同的剥离工艺方案,由此......
报导了SnO2薄膜及其掺杂膜片在乙醇中的气敏光学效应与透射光谱特性;提出了一种新的理论模型来解释SnO2薄膜的气敏光学效应的作用机理,并与实......
研究了SnO2薄膜的光学特性及有关光学参数的推导,建立了光学气敏的数学模型。较详细地研究了不同结构的SnO2薄膜接触还原性气体后光透射率的......
本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳......
本文以东汉“水银沁”铜镜为研究对象,搜集了关於铜镜的合金成份、鎔炼、铸造以及铸後处理等方面的文献和实物资料,综述了有待澄清......
非化学计量的二氧化锡是一种 n 型半导体材料,具有良好的光电特性。本文用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法生长 SnO_(2-x)薄膜,并......
本文采用三氯化硼作反应试剂,研究一种新的蚀刻二氧化锡薄膜工艺.此工艺可以蚀刻1.5μm的线条,其分辨率好且精度高.当对二氧化锡的......
本文研究了二氧化锡在某些可燃性气体中的光学特性。发现在不同浓度的甲醇、丙酮、氨蒸气下,二氧化锡有不同的透射光谱。在可见及......
本文以SnCl4·5H2O为母盐,通过化学沉淀法制备了纳米级的二氧化锡粉体.通过XRD以及SEN表征可以看出,所制备的粉体晶粒尺寸大约为10......
随着微结构气敏传感器的出现 ,金属氧化物半导体薄膜因具有灵敏度高、热质量小、批量制备一致性好等特点受到日益广泛的重视。本文......
氢气作为一种新型的清洁能源,被喻为最佳的未来燃料,氢气除了在石油和化工行业中作为反应物使用,还广泛应用于物理、电子、汽车、发电......
透明导电氧化物薄膜以其接近金属的导电率、可见光范围内的高透射率、红外波段的高反射率以及其半导体特性,广泛地应用于太阳能电池......
我们对SnO_2:Sb和SnO_2:Mg薄膜的光电性质进行了相关研究。文章主要分为两部分。首先系统地研究了Sb掺杂浓度对SnO_2:Sb薄膜光电性......
在半导体薄膜材料领域,国内外的研究主要集中于薄膜材料改性,促进新物质的探索和深层物质结构的研究。作为重要的稀磁半导体材料和......
SnO2薄膜是一种集诸多优良性能于一体的功能材料,它具有广泛的用途;超声喷雾热分解工艺是一种在传统热分解工艺基础上发展起来的新型......
甲醛在工业、医药等日常生活领域被广泛应用,但甲醛气体对人体健康十分有害。在半导体气体传感器的研究中,硅基薄膜型传感器体积小、......
本文使用传统工艺将两种纳米材料结合在一起,制备出一种创新性复合材料。纳米硅孔柱阵列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)......
氧化锌和二氧化锡是两种用途广泛的半导体材料,由于纳米材料具有一些特殊的性能,更加扩展了它们的应用范围,使其制备研究成为当前材料......
二氧化锡是一种非常重要的宽能级n型半导体金属氧化物(禁带宽度为3.6 eV)由于其具有良好的气敏性能和独特的光学、电学性能,在气敏......
学位
气敏材料及其传感技术是上世纪三十年代才发展起来的,其中以SnO最具代表性,对其气敏电学机理和应用的研究开展得比较广泛和深入。近......
利用金属氧化物半导体的气敏一电阻特性制成的气体传感器是目前应用最为广泛的一种气体传感器。SnO2是最常用的气敏半导体材料。上......
随着科学技术的发展和生活质量的提高,用于环境检测的传感器也朝着微型化、智能化和集成化方向发展。虽然二氧化锡(Sn02)是传统半......
二氧化锡是一种n型宽禁带半导体材料。传统上,SnO2薄膜被广泛应用于透明导电薄膜、气敏传感器和太阳能电池等领域。近年来,越来越多......
采用旋涂法在玻璃基底上制备SnO2薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线反射(XRR)、傅氏转换红外线光谱仪(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、......
采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两......
采用射频溅射工艺制得细小均匀的β-Sn纳米锡膜,然后通过氧化处理工艺获得组织非常细小均匀的纳米级二氧化锡薄膜。X-衍射实验结果表......
研究了磁等离子化学气相沉积的不同工艺条件对SnO2薄膜导电性能的影响,实验结果表明,外加适当位移,大小的纵向磁镜场,可使等离子体化学气相......
采用磁控溅射制备SnO2薄膜气敏元件,测试了气敏元件的性能,研究了SnO2薄膜气敏元件薄膜厚度、元件加热功率和环境温度和湿度对元件......
报道了气体传感器测量的一组优化电路,它由可以直接输出气体传感器工作电阻Rg随微量有毒,有害气体浓度C变化的曲线为直线的拟合电路组成......
采用旋涂法在玻璃基底上制备SnO2薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线反射(XRR)、傅氏转换红外线光谱仪(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、......
采用光学系统工作的深海观测设备所遇到的难题之一,便是观测口上容易结一声能生物膜,影响视线。法国国家科学研究中心(SNRS)和“电化学......
以无机盐SnCl2·2H2O为主体原料,以(C4H9O)4Ti为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备了TiO2掺杂的SnO2薄膜,采用差......
以无机物(SnCl4.5H2O)为前驱物采用溶胶-凝胶技术、浸渍涂布法制备二氧化锡薄膜。研究了凝胶的脱水与晶化过程,得到经600℃热处理后......
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备SnO2薄膜,通过对薄膜的不同处理方式(热处理、氨处理和未处理)所获得的SnO2薄膜的比较,研究了氨处理Sn......
本文用MOCVD技术在小瓷管表面沉积SnO2薄膜,通过氢气退火处理,制备了可用于鱼品鲜度检测的三甲胺气敏元件,该元件对三甲胺有较高的灵敏度,响应时......
本研究不用金属醇盐而以无机盐SnCl2.2H2O为主体原料,以Zr(OC3H7)4为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-疑胶Sol-Gel)工艺制备了不同ZrO2掺杂份量的SnO2薄膜,发现ZrO2薄膜在常温下对......
阐述了金属氧化物SnO2纳米薄膜研究的发展情况及其应用前景,介绍了采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150-400℃的耐......
用PECVD方法制备出二氧化锡薄膜,利用双探针技术诊断出等子体反应器内电子密度的分布,并分析了它对薄膜电阻的影响,透射电镜分析表明随沉积......
基于溶胶凝胶法制备了掺铟二氧化锡(ITO)薄膜,探讨聚乙二醇(PEG)、退火温度、退火过程氧气浓度等因素对ITO薄膜性能的影响。实验结果表......