掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究

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【摘要】

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利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）结构.对Cp_2Fe流量不同的高阻Ga N特性进行了研究.研究结果表明,F

【作者】

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王凯邢艳辉韩军赵康康郭立建于保宁邓旭光范亚明

【机构】

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北京工业大学电子信息与控制工程学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2016年1期

【关键词】

：

高阻GaN FE掺杂高电子迁移率晶体管金属有机化合物化学气相沉淀 high-resistivity GaN Fe-doped high electron

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号：61204011,11204009,61574011）,北京市自然科学基金（批准号：4142005）,北京市教委能力提升项目（批准号：PXM2014_014204_07_000018）资助的课题

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利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）结构.对Cp_2Fe流量不同的高阻Ga N特性进行了研究.研究结果表明,Fe杂质在Ga N材料中引入的Fe~（3＋/2＋）深受主能级能够补偿背景载流子浓度从而实现高阻,Fe杂质在Ga N材料中引入更多起受主作用的刃位错,也在一定程度上补偿了背景载流子浓度.在一定范围内,Ga N材料方块电阻随Cp_2Fe流量增加而增加,Cp_2Fe流量为100 sccm（1 sccm 1mL min

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