【摘 要】
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以钛掺杂氧化锌镓（GZO）陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO（GZO：Ti）透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO：Ti薄膜的折射度、消光系数和厚度
【机 构】
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中南民族大学电子信息工程学院,中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室
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以钛掺杂氧化锌镓（GZO）陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO（GZO：Ti）透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO：Ti薄膜的折射度、消光系数和厚度等光学参数,研究了氩气压强对GZO：Ti薄膜光学性质的影响.结果表明：拟合光谱曲线与实验测量光谱曲线一致,薄膜的光学性质与氩气压强密切相关,GZO：Ti薄膜折射率随波长增大而逐渐减小,表现出正常的色散性质.另外还采用包络法计算了GZO：Ti薄膜的折射率和厚度,两种方法所获得的结果是基本相符的.
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