硬磁畴相关论文
采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)......
本实验研究了含Lu样品(硬磁畴只能产生OHB和ID)中的第一类哑铃畴在直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下的自发收缩现象.实验发现......
该文首次研究了在转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)和第Ⅱ类哑畴(ⅡD)的变化规律,实验发现转动面内场作用下三......
1983年,日本九洲大学的小西进(Konish)提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案.BLM存储技术就是抒磁泡拉长为条状磁畴,用条畴畴壁......
本文实验研究了石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性，具体测量了ⅠD在条泡转变标准场H_(sb)’和硬泡标准场H_O’处畴长随温度的......
本文从低直流偏场法出发，实验研究了石榴石磁泡薄膜样品中的硬磁畴的动态特性和温度特性以及产生正、负垂直布洛赫线(VBL)的条件。 ......
超高密度固态布洛赫线存储器(BLM)是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBLs)作为信息载体，硬磁畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高......
本文实验研究了外延石榴石磁泡薄膜样品中三类硬磁畴(普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID))畴长随直流偏场的变化......
石榴石磁泡薄膜中的微结构和磁特性的研究，既有实际应用价值，又有理论意义。本文实验研究了立方磁晶各向异性对石榴石磁泡薄膜中软、......
研究了软畴段的分界面内场与三类硬磁畴临界面内场的关系。实验发现，在相同温度下，软畴段的分界面内场与硬磁畴的起始软化面内场是相......
实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发出了影响正，负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正，负ＶＢＬ的形成，只与硬......
研究了温度作用下3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失过程,发现和证实了普通硬磁泡(OHBs),第Ⅰ类哑铃畴(IDs)和第Ⅱ类哑铃畴(......
实验研究了直流偏场为0时形成的枝状畴的一些动态特性,发现由这些枝状畴形成的硬磁畴均顺时针转动,通过与固定直流偏场下形成的硬......
研究石榴石泡膜在直流偏磁场作用下布各赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响。一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变......
研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助. 3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定......
实验研究了面内磁场Ｈｉｐ对处于直流偏磁场Ｈｂ作下的第Ⅱ类哑铃畴的稳定性的影响。...
在不同的直流偏磁场Ｈｂ下，测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）宽度（Ｗ）和泡径（ｄ），从而得到Ｌ，Ｗ和随Ｈｂ变化的曲线，结果表明，三类硬磁畴的畴壁长度随Ｈｂ的增......
实验研究了第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)在直流偏场和温度联合作用下的自崩灭现象,发现第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭存在一个与材料参量有关的自崩灭......
实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内，第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响，研究发现，在室温到T0......
利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间......
磁畴和磁畴壁物理的研究,一直是磁学领域的重要内容。而石榴石磁泡薄膜中硬磁畴行为的研究,无论是对超高密度布洛赫线存储器的研制......
