1983年，Konish提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案。BLM存储技术采用条状磁畴中的负布洛赫线(VBL)对作为信息的载体，以VBL对的有无来体现信息的“1”和“0”。与磁泡存储器相比，BLM的存储密度大大提高。硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的形成及其稳定性的研究，对布洛赫线存储器(BLM)的研制与使用具有重要意义。本文实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变现象。研究表明，存在3个特征偏场(Hb)h、(Hb)I和(Hb)AI；Hb＜(Hb)h，条泡转变后的磁畴均为SBs，Hb高于(Hb)h和(Hb)I，条泡转变后的磁畴中依次出现OHBs和IDs；Hb高于(Hb)Al，条泡转变后的磁畴均为IDs；IDs的最小和最大条泡转变面内场(Hip)sb,min和(Hip)sb,max均随着Hb的增加而减小；当Hb＜Hsb时，必须施加较高的Hip，IDs才能发生条泡转变；此外，当Hb＞(Hb)h时，H(1)ip＜(Hip)sb,min＜(Hip)max＜H(2)ip。