垂直布洛赫线相关论文
本文详细测量了ID在条泡转变标准场H′和硬泡标准场H′处畴长随温度的变化关系,证明了VBL间的平衡间距随温度的升高而增大.......
本文通过研究枝状畴形成的硬磁畴的转动行为,综合分析了脉冲偏场对形成正、负VBL链的影响,认为脉冲偏场的下降沿对应负VBL的形成,......
本文实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律,得到了转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失......
详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场H·sb和硬泡标准场H*0处畴长L随温度的变化关系,证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间......
采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)......
该文详细研究了在直流偏场H和面内磁场H联合作用下普通硬磁泡(OHB)和第二类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线VBL链的稳定性.对于OHB,......
该文从图形生长的角度,对使用"低偏场法"在两类典型石榴石磁泡薄膜上形成的枝状畴(MBD)进行了研究,并对其静态特性和分形维数进行......
该文首次研究了在转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)和第Ⅱ类哑畴(ⅡD)的变化规律,实验发现转动面内场作用下三......
1983年,日本九洲大学的小西进(Konish)提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案.BLM存储技术就是抒磁泡拉长为条状磁畴,用条畴畴壁......
该文实验研究了含Lu样品中的硬磁畴(含Lu样品中只能产生OHB和ID)在面内场作用下行为.首先,实验研究了直流偏场"整形"和面向场交替......
本文实验研究了石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性，具体测量了ⅠD在条泡转变标准场H_(sb)’和硬泡标准场H_O’处畴长随温度的......
该文首次研究了在面内场的作用下,用"低直流偏场法"产生的枝状畴畴壁中VBL的消失规律.实验发现,用"低直流偏场法"产生的IID枝状畴......
本文从低直流偏场法出发，实验研究了石榴石磁泡薄膜样品中的硬磁畴的动态特性和温度特性以及产生正、负垂直布洛赫线(VBL)的条件。 ......
本文实验研究了外延石榴石磁泡薄膜样品中三类硬磁畴(普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID))畴长随直流偏场的变化......
1983年，Konish提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案。BLM存储技术采用条状磁畴中的负布洛赫线(VBL)对作为信息的载体，以VBL对的有......
石榴石磁泡薄膜中的微结构和磁特性的研究，既有实际应用价值，又有理论意义。本文实验研究了立方磁晶各向异性对石榴石磁泡薄膜中软、......
实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.......
实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转......
研究了软畴段的分界面内场与三类硬磁畴临界面内场的关系。实验发现，在相同温度下，软畴段的分界面内场与硬磁畴的起始软化面内场是相......
以实验为依据，在Ｔｈｉｅｌｅ磁泡静力学理论和垂直布洛赫线均匀旋转模型的基础上，通过对畴壁能进行修正，研究了直流偏磁场作用下泡状硬磁畴的条泡......
实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法，用这种经过改进的方法测量时，在面内场软化的起始值，OHB就会有较高的软化率，实验观察......
实验研究了直流偏场（Hb）下,面内场（Hip）对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线（VBL）稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴......
实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.......
实验研究了直流偏场和温度交替作用对布洛赫线存储器中垂直布洛赫线（VBL）链的影响。发现三类硬磁畴中VBL链是在临界温度范围[Tl,T2]......
通过对哑铃畴在面内场作用下自缩泡现象的研究，发现面内场作用下垂直布洛赫线链的解体与哑铃畴在面内场中的位置有关。当哑铃畴与面......
实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发出了影响正，负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正，负ＶＢＬ的形成，只与硬......
实验研究了硬磁畴在不同温度下的静态性质，发现具有相同数目ＶＢＬ的硬碰畴在不同温度下的存在形式不一定相同，从而揭示了三类硬磁畴畴壁结......
研究了温度作用下3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失过程,发现和证实了普通硬磁泡(OHBs),第Ⅰ类哑铃畴(IDs)和第Ⅱ类哑铃畴(......
实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面......
通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律.结果发现,转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消......
实验研究了直流偏场（Hb）和面内场（Hip）联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴（ID）畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的解体.通过实验得到......
实验研究了含Lu样品(硬磁畴只能产生OHB和ID)中的第一类哑铃畴(ID)在直流偏场(Hσ)和面内场(Hip)联合作用下的自发收缩现象,这种现......
实验研究了温度和面内场共同作用下，液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性，发现，从室温到T0范围......
实验研究了第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)在直流偏场和温度联合作用下的自崩灭现象,发现第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭存在一个与材料参量有关的自崩灭......
研究了经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下的温度特性，通过与未经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下温度特性的对比，发现：在非压缩状态下......
石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中ＶＢＬ对其缩灭场的影响河北师范大学物理系唐贵德，孙会元，曹新国，聂向富本文以实验为依据，近似算出石榴石磁泡膜......
研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和......
利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间......
实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响．研究发现，普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和......
实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴（普通硬磁泡（OHB）、第Ⅰ类哑铃畴（ID）和第Ⅱ类哑铃畴（IID））畴壁中垂直布......
详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈｓｂ和硬泡标准场Ｈ０‘处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距......
实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为．实验发现：面内场对软畴段的条泡转变场Hsb和软泡缩灭场H0有很大影响，而且Hsb和H0的变......
实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡（OHB）畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VB......
磁畴和磁畴壁物理的研究,一直是磁学领域的重要内容。而石榴石磁泡薄膜中硬磁畴行为的研究,无论是对超高密度布洛赫线存储器的研制......
