临界面内场相关论文
超高密度固态布洛赫线存储器(BLM)是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBLs)作为信息载体，硬磁畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高......
实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0......
实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法，用这种经过改进的方法测量时，在面内场软化的起始值，OHB就会有较高的软化率，实验观察......
实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面......
实验研究了温度和面内场共同作用下，液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性，发现，从室温到T0范围......
实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内，第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响，研究发现，在室温到T0......
实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴（普通硬磁泡（OHB）、第Ⅰ类哑铃畴（ID）和第Ⅱ类哑铃畴（IID））畴壁中垂直布......
