硅纳米晶粒相关论文
该论文主要研究了硅纳米晶粒基MOS存储器结构的荷电特征和长时间存储机理.论文首先研究了硅纳米晶粒中荷电的动力学特征.硅纳米晶......
鉴于蓝光发射在现代硅基光电子学全色显示中的重要作用，许多研究组均把研究重点集中在硅纳米结构材料的蓝光发射上。但是由于微观系......
利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶......
为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50～200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外......
本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征.器件阈值电压偏移达1.8V以上，并随着沟道宽度的变窄而增加，而与沟道长度基本无关.同时......
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本文以硅烷（SiH4）为反应气体，利用等离子体化学气相沉积（PECVD）方法在硅（100）衬底上生长硅纳米晶体、纳米线。应用扫描电镜观察不同条件下......
硅纳米晶粒具有独特的光致发光（PL）和电致发光（EL）特性,在纳米光电子器件中具有巨大的潜在应用价值。通过近年来硅纳米晶粒的研究成果,......
对由量子限域效应引起的硅酸纳米晶粒的强烈光致发光现象，离子注入技术制备量子光电材料及其在光电子器材应用领域的优势和前景作了......
为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀（PLA）技术,在室温,50～200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加......
