论文部分内容阅读
本文以硅烷（SiH4）为反应气体，利用等离子体化学气相沉积（PECVD）方法在硅（100）衬底上生长硅纳米晶体、纳米线。应用扫描电镜观察不同条件下生长的样品表面，发现衬底条件对硅纳米结构的影响十分显著。在温度、压强等其它条件相同的情况下，对硅衬底应用Fe^3＋催化剂处理后，呈纳米线状结构生长，而无Fe催化剂涂覆情况下，基本呈纳米晶体状生长，说明催化剂对si纳米线的生成起了重要的促进生长作用。通过进一步研究硅纳米晶体、纳米线的等离子增强化学气相生长机理，发现它们以气-液-固（VLS）机制生长。