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以互补型金属-氧化物-半导体场效应管结构为基础的悬浮式栅极非易失性存储器件在二十世纪中叶开始逐渐广泛应用于各类电子器件中。......
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研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采......
随着信息社会对半导体集成电路集成度的要求不断提高，人们一方面不断减小晶体管的尺寸以提高集成度。另一方面，人们试图寻找新的器件......
硅基非晶薄膜以及镶嵌在非晶薄膜中的纳米硅材料近几年来已被广泛的研究,这些材料在许多方面,包括新型存储器件,新一代太阳能电池......
研究了镍纳米晶镶嵌在MOS(金属—氧化物一半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性.制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶.采用......
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-χsrχTiO3)薄膜,再在氧气氛中进行不同条件的......
这一研究工作模拟计算了Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的擦写和存储时间特性。结果表明，Ge/Si复合纳米结构存储器在低压下即可实现......
利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶......
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺，在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-xSrTiO3)薄膜，再在氧气氛中进行不同条件的退火......
