电子迁移率晶体管相关论文
GaN基高电子迁移率晶体管器件在高频、高温、大功率方面优势明显,目前已应用在军用雷达等领域,商业化应用逐渐成为人们关注的焦点。......
增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在下一代高效率高压功率器件的非常有广阔的应用前景。但是传统的AlGaN/GaN异质结很难形成增强......
近年来,AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管(HEMT)由于其优异的性能,已经引起了人们很多的关注,它具有较高的频率特性,可以输出较高的微波......
报道了MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs改变结构高电子迁移率晶体管(MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为0.8μm的器件,......
提出了一种新的PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在InP PHEMT材料上制作出高成品率的T型纳米栅。......