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报道了MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs改变结构高电子迁移率晶体管（MHEMT）的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为0.8μm的器件，最大非本征跨导和饱和电流密度分别为350mS/mm和190mA/mm。源漏击穿电压和栅反应击穿电压分别为4V和7.5v。这些直流特性超过了相同的材料和工艺条件下GaAs基PHEMT的水平，与InP基InAlAs/InGaAS HEMT的性能相当。