近年来，AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管(HEMT)由于其优异的性能，已经引起了人们很多的关注，它具有较高的频率特性，可以输出较高的微波功率，因此广泛应用于移动通讯基站、微波存取全球互通领域以及其他无线设备，如无线固定接入系统、本地无线环路系统、本地多点分布系统等。但与此同时，越来越高的芯片性能和集成度也带来了一个不可回避的问题，这就是散热。根据源自一份美国航空电子的失效分析统计数据，近55%的电子器件失效是和温度相关，由此可见热控制的重要性。因此本文的主要目的就是通过利用计算机数值模拟来分析影响GaN HEMT器件散热的主要因素。通过建立一个简化了的多指栅器件模型，对包括GaN的厚度、栅长、栅宽、衬底的材质和厚度等因素进行了多方面的考量，从而得到其对热阻和温度两方面的影响。我们还对该模型的有效性与一些实际的测量数据进行了比较，得到了非常接近的结果。我们还对器件热阻和温度会随着以上因素进行变化的原因进行了一些分析和论证，并且利用得到结论对器件的尺寸和材料的选择提供了一些理论上的建议。这样一个器件热阻和温度的模拟对于功率器件和单片微波集成电路的设计者来说有着重要的作用。