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提出了一种新的PMMA／PMGI／PMMA三层胶复合结构，通过一次对准和电子束曝光、多次显影在InP PHEMT材料上制作出高成品率的T型纳米栅。在曝光显影条件变化20％的情况下，InP HEMT成品率达到80％以上；跨导变化范围在590－610mS/mm,夹断电压为－1．0－-1.2V，器件的栅长分布均匀。这种新的结构工艺步骤少，工艺宽容度大，重复性好，大大提高了纳米栅器件的成品率。