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综述了近年来激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用。指出了现有的广泛用于集成电路结形成的离子注入加快热退火技术，不能适应纳米超浅源、漏结的制备及其原因，分析了激光的独特优点以及用于超浅结形成的可行性。纳米超浅结要求结深和杂质分布精确可控，结电阻要尽可能低。着重强调了激光能量密度、脉冲宽度、作用时间等工艺参数与结深、杂质分布以及结电阻之间的密切关联。