多晶半导体相关论文
东京理工学院的研究人员推出了可淀积在塑料上的InGaZnO透明半导体,用它制作的晶体管可比目前的塑料晶体管高出1—3个数量级。这种......
研究了在H_2S碱性溶液中,CdS粉末催化剂存在时,光催化分解H_2S释氢和生成硫反应。考察了阴离子表面活性剂——十二烷基硫酸钠(SDS)......
在光电化学光能转换的研究中,由于多种因素在半导体/溶液界面形成了各种性质和作用不同的表面态,在界面的电荷和能量转移中起着重......
本文叙述了用X射线衍射原理和技术,分析Cd-P二元系统化学反应中的物相情况,为半导体器件制作中扩散源材料磷化镉的化学合成提供了......
本文采用阴极电淀积法在镀Ni黄铜衬底上制备CdSe_xTe_(1-x)多晶半导体薄脱。用X射线衍射仪和X射线能谱分析仪,对淀积物的相结构和......
该文利用辐射强度指数衰减率,多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式和光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度......
前言半导体电极表面由于晶格缺陷,悬挂键,杂质以及吸附的离子,腐蚀产物等形成了不同类型(即施主型和受主型)和具有不同能量的表面......
本文利用辐射强度指数衰减率和多碱阴极光吸收系数公式，首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度，研究结果表明：当Ｉａ／Ｉｏ大于０．４时，阴极厚度......
