本文提出了一种新的双多晶工艺。通过分析VDMOS导通电阻和击穿电压，找出影响器件静态特性的关键参数：栅长。针对该参量的模拟，寻找一......

本文基于目前SiC外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,针对单极型SiC功率器件,对漂移区与耐压及比导通电......

利用激光分于束外延法在高约2500A的STO台阶衬底和36.8°双晶衬底上外延厚度为2000～2300A的YBCO超导簿膜，用常规的光刻工艺制出DC－SQU......

分析表明,外延工艺因其能够严格控制掺杂浓度及表面完美性而广泛用于Bipolar、BiCMOS、功率器件,瞬态电压抑制器及超结器件等集成......

外延工艺广泛应用于双极集成电路、高压器件和CMOS集成电路。批量生产中的核心问题是产品参数控制的稳定性、均匀性和可重复性,从......

CMOS电路由于寄生结构的影响,在大电流的情况下,易发生闩锁效应。如有该效应发生,极有可能导致芯片烧毁。一般从电路设计和版图设......