【摘 要】
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本文提出了一种新的双多晶工艺。通过分析VDMOS导通电阻和击穿电压，找出影响器件静态特性的关键参数：栅长。针对该参量的模拟，寻找一种集成于9μm外延厚度BCD工艺的优化设计方法。得到了耐压90V，比导通电阻为194.4mΩ·cm2的优化器件，并将该模型应用到自主研发的70V BCD工艺中去，得到了良好的验证。
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 中国电子科技集团公司第二十四研
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
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本文提出了一种新的双多晶工艺。通过分析VDMOS导通电阻和击穿电压，找出影响器件静态特性的关键参数：栅长。针对该参量的模拟，寻找一种集成于9μm外延厚度BCD工艺的优化设计方法。得到了耐压90V，比导通电阻为194.4mΩ·cm2的优化器件，并将该模型应用到自主研发的70V BCD工艺中去，得到了良好的验证。
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