低压MOCVD相关论文
用低压 MOCVD系统在 ( 1 1 1 ) Si衬底上 ,用两步生长方法 (改变 / 流量比 )在 3 0 0～ 4 0 0℃时外延生长了 Zn S单晶薄膜。随着衬......
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe......
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用低压ＭＯＣＶＤ系统在（１１１）Ｓｉ衬底上，用两步生长方法（改变Ⅱ／Ⅵ流量比）在３００￣４００℃时外延生长了ＺｎＳ单晶薄膜。随着衬底温度的降低，ＺｎＳ薄膜结晶质量提高，并在３００℃生长时获......
用停滞边界层理论分析了低压MOCVD外延GaN的生长模型.通过优化反应室结构和工艺条件,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的GaN外延......
使用SiC作为过渡层，采用自行设计建造的连通式双反应室高温MOCVD系统很好地克服了ZnO和SiC生长时的交叉污染问题，在Si基片上外延出高......
采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X......
利用低压MOCVD系统，获得了p-GaN和p-InGaN／GaN超晶格结构2种材料，用圆形传输线模型（CTLM）测量了它们的比接触电阻率，并对表面处理、金属......
本文利用低压高温MOCVD系统,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜,并对其反应机理做了一些初步的研究.大部分观点认......
