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用停滞边界层理论分析了低压MOCVD外延GaN的生长模型.通过优化反应室结构和工艺条件,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的GaN外延层.
GaN的低压MOCVD生长模型
【摘 要】
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用停滞边界层理论分析了低压MOCVD外延GaN的生长模型.通过优化反应室结构和工艺条件,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的GaN外延层.
【机 构】
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河北半导体研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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2001年6期
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