论文部分内容阅读
利用低压MOCVD系统，获得了p-GaN和p-InGaN／GaN超晶格结构2种材料，用圆形传输线模型（CTLM）测量了它们的比接触电阻率，并对表面处理、金属沉积和合金化处理的工艺条件进行了优化，得到了550℃、O2氛围下合金30min的最佳条件，获得最低的比接触电阻率为1．99×10^-4Ω·cm^2。