pMOS器件相关论文
使用Silvaco TCAD软件建立PMOS器件模型,仿真模拟得到了PMOS器件γ射线总剂量效应,提取了氧化层及界面处陷阱电荷共同影响后器件的......
在电荷泵技术的基础上 ,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对 p MOS器件热载流子应力下的阈值电压退......
应用负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI),退化氢分子的漂移扩散模型,与器件二维数值模拟软件结合在......
基于自主开发的SOI高低压兼容工艺，研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性，分析了器件发生击穿和骤回的物理机制。结合理论分析和流......
该文首先研究了含盖整个线性区和饱和区的各种器件静态参数随应力时间的退化规律,并得到了PMOS器件热载流子损伤生长的基本规律.重......
单粒子效应是影响航空航天用深亚微米集成电路可靠性最主要的问题，随着工艺尺寸的不断减小，一些原本不显著的二次效应也逐渐变得重要......
本文首先研究了PMOS器件各种静态参数随时间应力的退化，并得到了器件退化的规律。讨论了NBTI效应的产生机制，发现是由于Si/SiO2界面......
随着CMOS器件尺寸的缩小,栅介质厚度已经减薄到接近其物理极限。然而,电源电压减小的相对滞后导致的强电场引发了各种可靠性问题。......
基于28 nm Polysion工艺,研究了在轻掺杂源漏区(LDD)提升掺杂浓度与掺杂碳源对PMOS器件的影响.实验结果表明,掺杂碳原子可以有效抑......
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采用常规P阱CMOS工艺，实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器律。制作的器件，其击穿电压为55V，阈值电压0．92V，驱动电流25mA。对所设计的CMOS......
通过理论分析与计算机模拟，给出以提高跨导为目标的Si/SiGe PMOSFET优化设计方法，包括栅材料的选择、沟道层中Ge组分及其分布曲线的......
研究了热载流子应力下栅厚为2．1nm，栅长为0．135μm的pMOSFET中HALO掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系．实验发现，器件的退化机制......
研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier rejection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性．测量了......
响应表面方法与ＴＣＡＤ相结合是一个极具潜力的有用技术，它可以极大地减少研制和优化ＩＣ工艺的时间和成本。本文介绍了用响应表面的实验设计与......
在28 nm CMOS技术节点,锗硅技术在器件沟道产生压应力可以提高PMOS电学性能.在选择性锗硅外延工艺基础上对锗含量进行细化阶梯分布......
随着半导体技术的发展,器件日益小型化,pMOS器件的负温度不稳定效应NBTI(Negative Bias Temperature Instability)加剧,成为影响器......
