ZnSe晶体相关论文
ZnSe晶体是最重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物半导体光电材料之一,在中远红外激光、高能辐射探测、蓝光LED、光通讯等领域有广阔的应用潜......
ZnSe晶体是典型的宽禁带Ⅱ－Ⅵ族直接带隙半导体,室温下的禁带宽度为2.7eV.随着非线性四波混频、Z 扫描、泵浦-探测等实验表征技术的......
采用I2作为输运剂,以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体。比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能,借助XRD、SEM......
以Cd类化合物为代表的半导体纳米晶(CdSe、CdS、CdTe)作为荧光标记物在生物领域的应用已经进行了大量的研究，但其生物毒性一直是人......
采用电阻加热水平物理输运法对生长 ZnSe 晶体的原料进行提纯,使其纯度达到5N(99.999%).利用 Bridgman 单晶生长方式生长 ZnSe 晶......
Cr~(2+):ZnSe具有很宽的吸收带和发射带,是中红外波段优秀的可调谐激光材料。从吸收光谱、发射光谱以及角度调谐输出对Cr~(2+):ZnS......
发展了一种新的ZnSe晶体气相生长输运剂Zn(NH4)3Cl5;用非等温TG-DTG技术,在5.0、10.0、15.0和20.0 ℃/min 4个不同线性升温条件下,......
制备了ZnSe晶体,对其生长和加工工艺进行了研究,提出了一些合理的解决办法.测试结果表明,所得ZnSe晶体适合用于红外窗口材料.......
将Se离子注入到ZnSe晶体中,用深能级瞬态谱仪(DLTS)测量了注Se~+前后ZnSe晶体中深能级的变化,发现在ZnSe中经常出现的分别位于导带......
We present the recent research progresses of our group on mid-infrared pulsed fiber lasers at 3 μm by passive switching......
以水合肼为还原剂，分别用ZnCl2和Se粉作锌源和硒源，在140℃水热处理24h合成了ZnSe纳米粉末。然后以其为原料。在270℃，NaOH浓度为4mol......
针对弹光调制器需要高压、小电流双向正弦电源的工作特点，设计了一种压电晶体驱动控制器，主要由功率放大电路、充放电回路、LC谐振电......
采用化学气相输运法，以单质Zn和Se为原料生长ZnSe晶体。比较了加碘（Zn-Se-I2）和未加碘（Zn-Se）两种情况下产物的特征，借助XRD和SEM检测仪......
简述了ZnSe体单晶熔体生长，气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质，分析并认为这些基本理化性质对Znse单晶生长......
室温下利用阴极荧光光谱技术对ZnSe晶体进行了350~850 nm的无损全光阴极荧光图谱检测,分析了晶体内部缺陷及夹杂情况,室温下测得Zn......
为研究Cu掺杂对ZnSe晶体的光电性能的影响,采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnSe掺杂Cu前后的电子结构......
ZnSe是一种优良的发光材料 ,它具有直接跃迁型能带结构 ,禁带度为 2 .7eV ;宽的透光范围 ( 0 .5 2 0 μm) ;较高的发光效率 ;低的......
本文采用热扩散掺杂技术制备了Fe2＋：ZnSe晶体，获得尺寸达620mm×2．0mm的晶体样品。光谱测试分析结果显示，晶体样品在3．0μm附近具有......
本文简述了ZnSe晶体的溶液生长法、熔体生长法、气相输运法等制备方法以及ZnSe晶体研究现状和发展趋势,分析了这些制备方法的优缺......
固体表面的结构对其物理、化学、力学以及生物等方面的性质具有重要影响。飞秒激光表面加工技术作为一种新兴的加工技术,可以应用......
红外技术作为一种高新技术,不仅广泛应用于太空领域,还在国防安全和部分民用领域占据重要地位。随着现代化武器装备的迅猛发展,有......
