ZnSe晶体是最重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物半导体光电材料之一,在中远红外激光、高能辐射探测、蓝光LED、光通讯等领域有广阔的应用潜力和价值。然而,由于高熔点和高蒸气压,ZnSe晶体生长过程中易出现孪晶、位错、晶界、组分不均匀等缺陷,严重限制高质量ZnSe晶体的获得。基于此,本文采用兼具低温溶剂和区熔特性的移动加热器法（THM）生长ZnSe晶体,系统研究了THM生长ZnSe晶体的生长机理和控制技术、结构缺陷及其光电性能。通过对THM生长ZnSe晶体的研究,揭示了生长温度、生长速率、熔区长度以及坩埚加速旋转（ACRT）等生长参数对ZnSe晶体生长的影响规律,获得适合生长直径为15 mm ZnSe晶体的最佳工艺:生长温度900?C,生长速率2.4mm/day,熔区长度15 mm,使用正反梯形波ACRT,最大转速15 rpm,加速/减速时间4 s,平台时间30 s,最终成功生长出ZnSe单晶。结合生长参数,分析了ZnSe晶体生长界面的宏观和微观形貌,揭示了生长界面形貌、生长参数以及结构缺陷（晶界和夹杂相）之间的内在关系。结果表明,未引入ACRT时,生长界面宏观形貌是严重凹向晶体内部,即凹界面。引入最大转速为10 rpm的ACRT后,生长界面宏观形貌变为平直。而进一步增加ACRT的最大转速至15 rpm,生长界面宏观形貌由平直变为微凸。通过显微镜观察发现,生长界面的微观形貌凹凸不平,增加形核和夹杂相形成的概率,导致即使宏观平直或微凸的界面也出现多晶生长和大量夹杂相。ZnSe晶体中夹杂相的研究发现,存在PbCl2和ZnCl2两种夹杂相。多晶中PbCl2夹杂相富集在晶界附近,而单晶中分布均匀,尺寸小于50μm,仅个别达到100μm左右,密度仅为7.03×10~2 cm-2。微米级的ZnCl2夹杂相仅在晶界上被发现。通过分析生长界面微观形貌,探讨了夹杂相的形成机理。由于生长界面失稳,前端突出部分侧向生长或向后生长,导致溶剂被晶体包裹,生长结束后的降温过程中,被包裹的溶剂凝固,从而形成夹杂相。ZnSe晶体的表征结果表明,摇摆曲线的半峰宽为22 arcsec,位错腐蚀坑密度为（1-2）×10~5 cm-2,在650-4000 cm-1范围内的红外透过率高达70%,禁带宽度2.6 e V,电阻率6.17×10~9Ω·cm,说明生长的ZnSe晶体具有高的结晶质量。进一步研究了ZnSe晶体的退火改性,结果表明,退火后ZnSe晶体内部夹杂相尺寸减小,甚至消失,红外透过率由30%提升到75%,紫外透过率由30%提高到75%,禁带宽度由2.56 e V提高到2.67 e V。退火处理显著提高了生长态ZnSe晶体的性能。下一步工作主要聚焦在优化ACRT参数,改善生长界面形貌以减少甚至避免夹杂相的形成,进一步提高晶体质量。