VDMOS器件相关论文
本文对一种高功率BCD工艺中的VDMOS器件进行了优化设计。通过综合考量高功率BCD工艺中各种器件设计之间的制约与兼容性，并借助软件......
高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件......
针对N＋掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N＋掺杂区为梯形结构。该结构减小了元胞的尺寸,提高了单......
文中应用预警和健全管理（PHM）方法，在深入研究了辐射导致VDMOS器件和DC／DC转换器性能退化之间关系的基础上，设计了基于VDMOS器件损伤的D......
VDMOS器件具有开关速度快、开关损耗小、频率特性好等优点,被广泛应用于高频开关器件领域.利用TCAD软件对VDMOS器件进行建模仿真,......
MOSFET器件具有驱动电路简单、开关速度快、无二次击穿等固有优点,广泛应用于军工产品、消费类电子、工业产品、机电设备、智能手......
击穿电压是VDMOS器件的重要参数之一,器件的耐压能力主要由终端结构的击穿电压决定,但结曲面效应和表面电荷的存在制约着击穿电压......
本文主要针对半超结VDMOS器件的设计和应用进行简要讨论分析,并通过超结器件的工作原理缺点以及使用的改进方法,对其进行理论性质......
目前,DC/DC电源模块逐渐向着高效率、高功率以及高电流低电压的趋势发展,因此,人们对厚膜微组装DC/DC电源的可靠性要求更高。而作......
针对目前国内功率VDMOS器件成品率低、可靠性差等问题,采用低频噪声无损检测方法,通过分析功率VDMOS器件低频噪声的产生机理及特性......
VDMOS器件是当今功率半导体的主流器件之一,由于其价格便宜、高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及很好的热稳......
金属封装VDMOS器件在军事以及航天领域应用广泛。芯片烧结、引线键合和平行缝焊是封装的三个主要工序,直接影响封装的成品率和器件......
本文介绍了高压功率VDMOS器件对外延层的要求;讨论了n~-/n~+高阻厚层外延的工艺难点及解决办法。研制的n~-/n~+高阻厚层外延片已成......
VDMOS器件中的1/f噪声是表征该器件质量和可靠性的重要敏感参数,在检测器件噪声过程中,1/f噪声是被淹没在大量白噪声背景下的一种......
近年来，随着对电子元器件低频噪声的深入研究，人们发现低频噪声能敏感地反映电子元器件内部潜在的缺陷。因此，可以用噪声来分析和表征......
在微电子技术和电力电子技术的交叉推动下，功率集成电路（Power Integrated Circuit，简称PIC）得到迅速的发展，其应用领域也在不断扩大，目......
分析了VDMOS器件击穿电压、导通电阻、阈值电压和开关特性等主要性能指标的影响因素,并借助半导体模拟仿真软件Sentaurus对VDMOS器......
VDMOS器件是场效应晶体管之一,具有稳定电路的性质,由垂直双扩散金属-氧化物半导体组成,是由电压控制的器件。工作原理是依靠栅极......
整机小型化的发展对厚膜微组装DC／DC电源提出了更高的可靠性要求，VDMOS器件作为DC／DC电源的开关器件，其性能退化失效将直接影响电源效......
